Лекция №1 «Элементная база электронных устройств и систем»



Скачать 121.2 Kb.
Дата24.04.2016
Размер121.2 Kb.

Курс «Информационные технологии

в проектировании ЭВС»




Лекция №1

«Элементная база электронных устройств и систем»




1. Общие сведения. Предшественники. Классификация

1.1. Вводные замечания. Историческая справка.


Элементную базу электронной аппаратуры обработки информации и ее хра­нения составляют интегральные схемы (ИС). В зависимости от характера сигналов, отображающих информацию, средства ее обработки разделяют на цифровые, аналоговые и цифроаналоговые. Классификация цифровых ИС приведена на рис. 1.1.

Прежде всего, по признаку ориентации на массовое потребление или на конкретный заказ цифровые интегральные схемы можно разделить на стан­дартные и специализированные. Стандартные ИС приобретаются потребите­лем как готовые изделия (off-the-shelf) и производятся массовыми тиражами, что позволяет затрачивать большие средства на их проектирование, по­скольку его стоимость раскладывается на большое число изделий. Стан­дартные ИС традиционных видов имеют практически жесткую внутреннюю структуру, и потребитель не может влиять на характер их функционирова­ния. Специализированные ИС (СпИС), имеющие индивидуальный характер функционирования, приходится в той или иной мере разрабатывать (проек­тировать) по конкретному заказу. Проектирование ИС — процесс сложный и дорогостоящий, поэтому понятно стремление в максимально возможной степени строить аппаратуру на основе стандартных ИС.


К стандартным относятся следующие виды цифровых ИС.

  • Микросхемы малого и среднего уровней интеграции МИС и СИС, в анг­лийской терминологии SSI (Small Scale Integration) и MSI (Medium Scale Integration). Этот класс микросхем представлен многочисленными и хо­рошо известными с давних пор стандартными сериями элементов. Необ­ходимость использования таких микросхем в отдельных ситуациях сохра­няется и сейчас, но построение на них сложных устройств ведет к суще­ственному ухудшению технико-экономических параметров аппаратуры в сравнении с теми, которые могли бы быть получены при применении микросхем высокого уровня интеграции.

  • БИС/СБИС микропроцессоров и микроконтроллеров, МП и МК (Micro­processors, МР и Microcontrollers, MC). Многочисленные микросхемы МП и МК широко и успешно применяются при решении задач программной реализации алгоритмов.

  • БИС/СБИС запоминающих устройств (Memory IC), относящиеся к наи­более массовым ИС с широкой номенклатурой, применяемым в устрой­ствах и системах разного назначения для хранения данных и обмена ими с другими блоками систем.

  • Интегральные схемы с программируемой пользователем структурой (ИСПС). Эти схемы ознаменовали появление нового перспективного на­правления в развитии элементной базы электронного приборостроения. Именно эти БИС/СБИС открывают возможности использования микро­схем высокого уровня интеграции не только в массовых изделиях, выпус­каемых тиражами в сотни тысяч экземпляров, но и в проектах практиче­ски любой тиражности. В ИСПС задание схеме определенной внутрен­ней структуры (конфигурирование схемы) выполняется потребителем, изготовитель в этом процессе не участвует и поставляет на рынок про­дукцию, пригодную для многих покупателей, создающих аппаратуру раз­ного назначения. Отметим, что ИСПС имеют в известной мере двойственный характер: для потребителя они являются специализируемыми, а для про­мышленности — стандартными (со всеми вытекающими из этого выго­дами). Это обстоятельство отражено на рис. 1.1 штриховой линией.

Кроме указанных в классификации, к стандартным микросхемам принадле­жат также аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи.

Специализированные ИС, как уже отмечалось, в той или иной мере проек­тируются для конкретного заказчика. При этом от заказчика, как правило, требуются затраты значительных средств при длительных сроках разработки СпИС. Для преодоления трудностей создания специализированных ИС был предложен ряд методик их проектирования, соответственно которым суще­ствует и несколько разновидностей СпИС (в английской терминологии СпИС обозначаются термином ASIC, Application Specific Integrated Circuit).

Замечание

Особо следует остановиться на термине ASSP (Application Specific Standard Products), который получает все более широкое распространение. Этому тер­мину не всегда придается одинаковый смысл. В данной книге термин ASSP по­нимается как синоним термина ИСПС и определяет способ конфигурирования схемы под определенную задачу. Для программирования ASIC нужна разра­ботка специальных фотошаблонов с рисунками межсоединений, требующая больших затрат средств и времени. Применяя для целей конфигурирования программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), можно исклю­чить разработку шаблонов и сравнительно простыми способами получить эффективные средства построения цифровых систем, содержащие набор схем с необходимым функционированием. Такие архитектуры и относятся к классу ASSP, причем первая часть аббревиатуры сохраняет преемственность с термином ASIC, а вторая подчеркивает принадлежность микросхем к стан­дартной для электронной промышленности продукции.
Можно без преувеличения сказать, что вопросы реализации проектов на элементной базе высокого уровня интеграции сейчас привлекают к себе основное внимание разработчиков систем и специалистов электронной промышленности. В этом направлении важнейшим достижением явилось появление ИС с программируемой структурой. До их создания специализированные проекты в зависимости от конкретных условий (сложности проекте его тиражности, требований к техническим и экономическим характеристикам, отведенного для реализации времени и т. д.) традиционно выполнялись в следующих вариантах:

- на микросхемах малого и среднего уровня интеграции;

- на полузаказных микросхемах (базовых матричных кристаллах);

- на заказных микросхемах, спроектированных по методу стандартных ячеек;

- на полностью заказных микросхемах.
Среди СпИС (ASIC) различают классы полузаказных и заказных ИС. Разновидностями заказных микросхем являются полностью заказные ИС (Full Custom IC) и ИС, спроектированные методом "на стандартных ячейка; (Standard Cell Logic). Полностью заказные схемы целиком проектируются и требованиям конкретного заказчика. Проектировщик имеет полную свободу действий, определяя схему по своему усмотрению вплоть до уровня схемных компонентов (отдельных транзисторов и т. п.). Для изготовления схемы требуется разработка всего комплекта фотошаблонов, верификация и отладка всех схемных фрагментов. Такие схемы очень дороги и имеют длительные циклы проектирования.

Схемы на стандартных ячейках отличаются от полностью заказных тем, что их фрагменты берутся из заранее разработанной библиотеки схемных решений. Такие фрагменты уже хорошо отработаны, поэтому стоимость и длительность проектирования при их использовании снижаются. Для производства схем тоже требуется изготовление полного комплекта фотошаблонов, но разработка шаблонов облегчена. Потери сравнительно с полностью заказными ИС состоят в том, что проектировщик имеет меньше свободы при построении схемы, т. е. результаты ее оптимизации по критериям площади кристалла, быстродействию и т. д. менее эффективны. Наивысших технических параметров добиваются от полностью заказных схем, однако метод стандартных ячеек популярен, т. к. при небольших потерях в технических характеристиках с его помощью можно заметно упростить проектирование схемы. Полностью заказные схемы разрабатываются за время, превышающее время разработки схем методом стандартных ячеек приблизительно в два раза.

К полузаказным схемам относятся базовые матричные кристаллы БМК (в английской терминологии MPGA, Mask Programmable Gate Arrays, или LPGA, Laser Programmable (или Laser Personalised) Gate Arrays). В этом случае имеется стандартный полуфабрикат, который доводится до готового изделия с помощью индивидуальных межсоединений. Реализация требует из­готовления лишь малого числа фотошаблонов (для MPGA) или цикла опе­раций разрушения некоторых межсоединений лазерным лучом (для LPGA). Хотя стоимость и длительность проектирования в сравнении с полностью заказными схемами сокращаются в 3 - 4 раза, результат еще дальше от оп­тимального. Причина неоптимальности заключается в том, что в матричных БИС (МАБИС) менее рационально используется площадь кристалла (на кристалле остаются неиспользованные элементы и т. п.), длины связей не минимальны, и быстродействие не максимально.

Сходство методов проектирования на БМК и стандартных ячейках состоит в использовании библиотек функциональных элементов. Различие — в том, что для схем, проектируемых по методу стандартных ячеек, библиотечный набор элементов имеет более выраженную топологическую свободу. Напри­мер, в отличие от БМК, стандартизируются не оба размера ячеек (ширина и высота), а только высота ячеек, длины которых могут быть различными. При проектировании вначале из набора библиотечных элементов подбира­ются необходимые функциональные блоки, а затем решаются задачи их размещения и трассировки. Существует, естественно, и большое различие в числе шаблонов, которое требуется изготавливать для производства БМК и заказных ИС по методу стандартных ячеек.

Методика, а соответственно, и САПР для проектирования по методу стан­дартных ячеек более сложны, чем для проектирования на основе БМК, ко­торому свойственны более жесткие топологические ограничения. Ограниче­ния вводятся и для метода стандартных ячеек (постоянство высоты ячеек, предопределенность геометрических размеров и положения шин питания, тактирования и др.), но по мере применения более мощных САПР ограни­чения ослабляются. Длительность изготовления БИС/СБИС методом стан­дартных ячеек превышает этот же показатель для МАБИС на основе БМК в 1,3—1,8 раза.

Таким образом, как показано выше, заказные БИС/СБИС от начала до кон­ца разрабатываются для конкретного проекта. В них нет лишних элементов, оптимально размещены подсхемы и их межсоединения. Свойственная за­казным схемам оптимизация БИС/СБИС по конкретному техническому заданию минимизирует площадь кристалла, т. е. удешевляет его, позволя­ет добиться максимального быстродействия разрабатываемого устройства и т. д. Но, как уже отмечалось, разработка оригинальной БИС/СБИС (ее проектирование) чрезвычайно дорога и требует спроектировать и изготовить полный комплект фотошаблонов (15—20 штук). Стоимость проектирования и изготовления каждого шаблона составляет десятки тысяч долларов. Со­временный уровень затрат на создание комплекта фотошаблонов для произ­водства БИС/СБИС можно охарактеризовать следующими цифрами: для технологии с минимальным размером 0,18 мкм это 300—350 тыс. долларов, для технологии с минимальным размером 0,13 мкм — около 500 тыс. долларов, а для минимального размера 0,1 мкм ожидается 750 тыс. долларов или более.

Проекты, реализованные на ИС с программируемой пользователем структу­рой, стали успешно конкурировать прежде всего с двумя первыми из пере­численных выше методов реализации специализированных устройств. В на­стоящее время проектирование систем и логических устройств все больше перемещается в сторону широкого использования программируемых схем для всех вариантов разработки электронных аппаратных средств.

Интегральные схемы с программируемой пользователем структурой (ИСПС) существуют уже около 25 лет и к настоящему времени представлены множе­ством разнообразных семейств. Программирование структур вначале было применено в программируемых логических матрицах (ПЛМ), программи­руемой матричной логике (ПМЛ) и базовых матричных кристаллах (БМК). Вслед за ними возникли новые классы более сложных ИСПС, продолжаю­щих линии развития матричной логики и базовых матричных кристаллов: CPLD и FPGA, соответственно. Затем были реализованы ИСПС комбини­рованной (смешанной) архитектуры, сочетавшие признаки CPLD и FPGA. Позднее удалось разработать ИСПС с аналоговыми и аналого-цифровыми элементами, которые можно обозначить как ПАИС (программируемые ана­логовые интегральные схемы).

1.2. Базовые матричные кристаллы (вентильные матрицы)


Класс БМК выпадает из общего ряда перечис­ленных ИСПС, поскольку для него программирование микросхем произво­дится не пользователем, а изготовителем, т. е. на предприятии электронной промышленности с помощью сложных технологических процессов. Тем не менее, ознакомление с БМК необходимо, т. к. они являются предшествен­никами FPGA — важного класса ИСПС — имеют с ними ряд родственных черт. Кроме того, задача проектирования устройств и сис­тем на основе БМК близка к задаче проектирования на ИСПС, поскольку, как правило, в значительной мере ложится на плечи пользователя.

Базовые матричные кристаллы называют также вентильными матрицами (ВМ), что соответствует принятому для БМК английскому термину GA (Gate Array). Термин БМК преобладает в отечественной литературе, хотя термин "вентильная матрица" был бы предпочтителен как не противоречащий международной терминологии.

Базовые матричные кристаллы известны с 1975 года, когда американская фирма Amdahl Corp применила их в составе высокопроизводительной ЭВМ с целью исключения из нее микросхем малого и среднего уровней интегра­ции. Результаты оказались удачными, и в последующие годы БМК получили широкое распространение.

БМК — кристалл, на прямоугольной поверхности которого размещены внутренняя и периферийная области (ВО и ПО). Во внутренней области по строкам и столбцам (в виде матрицы) расположены базовые ячейки — груп­пы нескоммутированных схемных элементов (транзисторов, резисторов). Элементный состав базовой ячейки при разных вариантах межсоединений элементов допускает реализацию некоторого множества схем определенного класса, каждая из которых соответствует определенной функциональной ячей­ке (ФЯ). Для выпускаемого в продажу БМК создается библиотека функцио­нальных ячеек, т. е., в сущности, рисунков межсоединений, дающих ту или иную схему. Библиотеки функциональных ячеек БМК насчитывают обычно десятки или сотни типовых узлов, реализованных на одной или нескольких базовых ячейках.

В БМК канальной структуры между строками и столбцами базовых ячеек или их компактных групп оставляются горизонтальные и вертикальные сво­бодные зоны (каналы) для межсоединений.

В периферийной области кристалла размещаются периферийные ячейки, вы­полняющие операции ввода/вывода сигналов через контактные площадки, расположенные по краям кристалла.

Переход от биполярной схемотехники к МОП-транзисторным схемам сде­лал возможным более плотное размещение схемных элементов на кристал­ле. При росте сложности логической части схемы, т. е. числа логических элементов на кристалле, еще быстрее растет сложность межсоединений. Для снижения потерь площади кристалла, затрачиваемой на трассировочные ка­налы, была разработана бесканальная структура БМК типа "море вентилей" или "море транзисторов", в которой конструкторы отказались от свободных зон кристалла, заранее отведенных для межсоединений. В таких БМК вся внутренняя область плотно заполняется базовыми ячейками, а межсоедине­ния проводятся только там, где это необходимо, причем находящиеся под ними базовые ячейки оказываются в данной конкретной схеме неисполь­зуемыми.

Еще одной разновидностью БМК являются блочные, в которых на кристалле выделяются специализированные области-подматрицы для выполнения за­ранее определенных функций (логической обработки данных, памяти и др.). Между подматрицами размещаются специальные трассировочные каналы, на периферии подматриц изготовляются внутренние периферийные ячейки для передачи сигналов по межблочным связям.

Изобретение базовых матричных кристаллов означало появление нового класса специализируемых БИС/СБИС — полузаказных.

Для реализации конкретной полузаказной схемы на основе БМК нужны только шаблоны рисунков межсоединений. Например, при внедрении первых БМК в фирме Amdahl Corp для заказных схем требова­лась разработка 13 шаблонов, а для полузаказных БМК только трех.


Заказные БИС/СБИС существенно дороже полузаказных в проектировании, но затраты на изготовление каждого экземпляра уже спроектированной схе­мы у них меньше. Затраты на проектирование (подготовку производства) однократны, затраты на изготовление присущи каждому экземпляру микро­схемы. Отсюда видны экономически обоснованные области применения заказных и полузаказных БИС/СБИС. Для массового производства, когда стоимость подготовки производства (проектирования) раскладывается на большое число микросхем, в общей стоимости экземпляра микросхемы бу­дет преобладать стоимость его изготовления и целесообразно заказное про­ектирование. Так проектируются микропроцессоры, микроконтроллеры, микросхемы памяти. Для специализированных средств с меньшими тиража­ми заказное проектирование чаше всего неприемлемо. В эпоху появления БМК альтернативным вариантом проектирования БИС/СБИС с тиражностью в десятки тысяч экземпляров стало полузаказное. Позднее возмож­ности упрощения и удешевления процесса разработки БИС/СБИС много­кратно возросли в связи с появлением новых и эффективных вариантов ИС с программируемыми структурами.

БМК выпускаются рядом зарубежных фирм, а также отечественной фирмой "Ангстрем" (семейства 1806ХМ1, 1515ХМ1, 1593ХМ1, 1537ХМ1, 1592ХМ1) и белорусским объединением "Интеграл" (семейства 1532ХМ, 1540ХМ, 1547ХМ, 1574ХМ, 1575ХМ). Для ориентировки укажем некоторые параметры отдель­ных БМК. Предварительно заметим, что оценкой сложности БМК служит число эквивалентных вентилей (обычно, вентилей 2И-НЕ) в его составе.

БМК 1592ХМ1 содержит 100 тыс. эквивалентных вентилей, имеет библиоте­ку из 230 функциональных ячеек и рабочую частоту 50 МГц. Корпус БМК имеет 132 внешних вывода, из которых пользовательских (функциональных) 100. Диапазон рабочих температур от -60 до +85 °С.

БМК G10, G11, G12 американской фирмы LSI Logic имеют беспрецедентно высокую сложность и содержат до 33 млн. эквивалентных вентилей, а бипо­лярный БМК SH100K фирмы Infinion (ранее Siemens Semiconductor), имеющий до 10 тыс. эквивалентных вентилей и матрицу аналоговых эле­ментов на одном и том же кристалле, работает на тактовой частоте 5 ГГц.

В заключение отметим, что для более четкого отражения места БМК в иерархии микросхем полезно дополнить английскую аббревиатуру GA до аббревиатуры MPGA, Mask Programmable Gate Array.

Заметим также, что наряду с описанным выше вариантом БМК существуют и БМК с лазерным программированием межсоединений (LPGA, Laser Programmable Gate Arrays). В этих БМК первоначально изготовляются металлизированными дорожками все возможные межсоединения элементов, а при программировании часть соединений под воздействием точно сфокуси­рованных управляемых лазерных лучей разрывается. Такие БМК подобны обычным в том, что для конфигурирования МАБИС потребитель должен обращаться к изготовителю, т. е. на предприятие электронной промышлен­ности, однако сроки и стоимость выполнения заказа в сравнении с обыч­ными БМК оказываются иными. Сроки выполнения заказа сокращаются, что благоприятно с точки зрения ускорения выхода продукции на рынок, однако в настоящее время БМК с лазерным программированием распро­странены меньше, чем обычные, хотя имеются фирмы, развивающие их производство, в частности фирма Chip Express.








База данных защищена авторским правом ©bezogr.ru 2016
обратиться к администрации

    Главная страница